褚君浩 半导体物理和器件专家。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年3月生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任。
　　长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。
2005年当选中科院院士