6月16日下午1点半，在中关村教学园区S301教室，中国科学院研究生院物理科学学院开设的夏季学期课程——第八期“李政道讲座”正式开讲。本期“李政道讲座”共有十讲。来自北京大学电子学系的彭练矛教授作了题为“后硅时代的电子学：从硅到碳”的学术报告，这是本期“李政道讲座”的第一讲。

信息技术的基础是微电子集成电路的发展。微电子始于40年前美国Bell实验室肖特里、巴丁等人关于晶体管的发明，之后得到了奇迹般的发展，造就了包括Intel在内的众多顶级高科技公司，为美国近40年的经济繁荣做出了不可磨灭的功绩。然而传统硅基CMOS技术在2020年左右将达到其性能极限，目前即将面临重大选择，特别是高k和纳米材料的发展引发了是否可以放弃硅材料的讨论。虽然目前还没有CMOS技术如何发展的定论，但最新的关于碳纳米管和半导体纳米线的研究表明我们可以利用一维纳米材料特殊的性能，绕过目前纳电子集成电路所面临的极为困难的技术问题，制备出性能均匀的简单CMOS电路。彭练矛教授的报告简单地回顾了基于一维纳米材料特别是碳纳米管的CMOS技术的发展，目前所面临的困难，以及可能的解决途径和展望。

彭练矛，1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美国亚利桑那州立大学(Arizona State University)学习并获博士学位。1989年至英国牛津大学, 任M. J. Whelan 教授的研究助手。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow，国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。1994年底回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。1999年被北京大学聘为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授。2000年当选为英国物理学会Fellow。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。发表论文230余篇，论文被引用4800余次，其中9篇论文进入学科引用影响力前1%。“定量电子显微学方法与氧化钛纳米结构研究”项目获得了2010年国家自然科学二等奖。