阻变随机存储器(RRAM, Resistive Random Access Memory)是一类新的固体非易失存储材料，它拥有很多具有潜力的先进特性，包括高速读写(~10ns)、低功率(10nA, <3V)、极好的耐用性(>1010次循环)以及长的信息保留时间(>10年)。主要的RRAM器件是基于金属/金属氧化物/金属结构设计的，其中范围很广的金属氧化物，包括TiO, NiO, CuO, WO, TaO和钙钛矿材料(PCMO, Pr0.7Ca0.3MnO3)等，都已获得应用、或正在进行紧张的研究。RRAM器件是个非线性器件，必须在其上加上足够大的电压，才能使其在高阻态和低阻态之间改变。一般认为通过氧空位的导电是电阻跃变的关键，不过很多其他的机制，例如导电细丝、电阻/导体层、以及隧穿机制也都可能导致电阻跃变，并且仍在激烈的讨论中。理解器件运行的原理，是保证进一步提高材料和器件结构设计的关键，目标是实现高密度(<45nm)的非易失存储器。

为了让同学们更好地了解这一领域的发展，6月30日下午13：30 在中关村教学园区S301教室，“李政道讲座”特别邀请了陈东敏博士为同学们做关于“金属氧化物异质结阻变随机存储器”的演讲。报告结束后，同学们的提问异常踊跃，显示出了浓厚的兴趣。

陈东敏，1980年通过首届李政道先生主持的CUSPEA计划赴美国纽约市立学院 (CCNY, City College of New York) 物理系攻读博士学位。1983年进入纽约长岛Brookhaven国家实验室从事博士论文研究，并于1987年获CCNY（Brookhaven国家实验室）博士学位。1987-1989年在哈佛大学物理系从事博士后研究。1989-2004年在Rowland研究院工作，组建该所的纳米量子物理实验室(Nano-scale Quantum Physics Laboratory)，并为实验室负责人。1999年开始成为Rowland 研究所所长顾问。2001年Rowland研究所与哈佛大学合并后，成为资深ROWLAND研究员。2004年迄今为中国科学院物理所研究员，兼任北京国家凝聚态实验室（筹）主任，和固态量子计算实验室主任。　　陈东敏博士为凝聚态实验物理学家。专长于纳米材料，结构及器件的量子物理特性和应用。在Rowland研究所成功地主持设计制造成室温及低温UHV-STM实验系统，该实验室为国际上首家成功制造出具有原子分辩力的双探针-STM和低温超导磁场-STM新仪器。在NATURE, SCIECNE, PHYSICAL REVIEW LETTERS 等国际著名科学杂志发表的学术文献有５０多篇。